外观
电流检测电路
电流检测电路的设计主要是为了测量、实时监测电路中电流的变化,常应用于电源管理、电池监控及过流检测等场景。
这里,介绍电流感应放大器芯片方案,来学习设计电流检测电路,电流感应放大器本质上是运放电路,是通过在电流路径中串联感测采样电阻两端的压降,经过电流感应放大器(运放电路)放大电阻的压降,然后单片机ADC采样,来测量得出电流值。
在测量电流时,电流检测技术分为高侧(边)检测和低侧(边)检测。将测量采样电阻放置在电源与负载之间的检测方法称为高侧检测,将测量采样电阻放置在负载与接地端之间的检测方法称为低侧检测。这两种用于检测负载中电流的方法,如图所示。
特性 | 低侧电流检测 | 高侧电流检测 |
---|---|---|
测量采样电阻位置 | 负载与接地端之间 | 电源与负载之间 |
共模电压 | 接近地 | 接近电源电压 |
接地环路问题 | 较差 | 无 |
检测失败 | 有 | 无 |
应用场景 | 采样精度要求相对较低 | 采样精度要求相对较高 |
成本 | 成本较低 | 成本较高 |
1 低侧电流检测
要求设计一个0~3A的低侧电流检测电路。
这里,我们以INA180电流感应放大芯片为例进行设计。
INA180参数信息:
- 供电电压:2.7V~5.5V
- 共模电压范围(VCM):-0.2V~+26V
- 高带宽:350kHz
- 增益选项: INA180A1(20V/V); INA180A2(50V/V); INA180A3(100V/V); INA180A4(200V/V);
这里我们假设单片机ADC采样电压范围为0~3.3V,取中间端1.65V作为参考电压,我们选取INA180A2(50V/V放大增益),经过芯片放大前最大的可采样电压为33mV,除以采样电阻最高输入的3A,算出串联的电流采样电阻为11mΩ,这里我们选用10mΩ的采样电阻,更加常用一些,便于购买使用。电流采样电阻的精度,将直接影响电流测量的准确性,高精度的电阻可以减少误差,提高电流测量精度准确,常选用±1%精度。
采样电阻两端的电压:VSENSE=VOUT/G
流过采样电阻的电流:I=VSENSE/RSENSE
所以,合并公式可得
被检测的电流:I=VOUT(ADC采集的电压值)/(G增益*RSENSE)=VOUT(ADC采集的电压值)/(50*10mΩ)
即单片机ADC采集出VOUT电压即可计算得出检测的电流。
2 高侧电流检测
电源VBUS输出控制选用PMOS WST4041型号,最高支持40V漏源电压(Vdss),6A连续漏极电流。电路的工作原理是INA180A2高侧检测R1采样电阻电流,R2电阻作用是使PMOS的栅极悬空出现不稳定现象引起漏电流,提高PMOS导通与关断的稳定性。默认VBUS_CTRL输入高电平,使三极管Q2导通,PMOS管Q1的G极被拉低,VGS大于阈值电压Vth,Q1打开导通,后级的负载正常工作;当单片机采样检测到的ADC_CURRENT电压计算出来流过采样电阻的电流超过预设的保护电流值时,VBUS_CTRL输入低电平,控制三极管Q2关闭截止,PMOS管Q1的G极被拉高,VGS小于阈值电压Vth,Q1关闭截止,后级负载断电,防止超过预设的电流进入后级,保护后级负载电路。