外观

通用二极管（General-purpose Diode） ​

‌  代表型号：1N4001~1N4007、M1、M4、M7等；

特性 ​

  • 单向导通、PN结
  • 反向耐压高，通常为50~1kv;
  • 正向压降0.6~1.5V左右，根据材料不同以及导通电流不同而变化；
  • 开关速度慢-us级别

快恢复二极管（Fast Recovery Diode） ​

‌  代表型号：US1M、FR107、RS1M、ES1J、FR107W等；

特性 ​

  • 单向导通、PN结
  • 反向耐压高，通常为30~1kv;
  • 正向压降0.5~2V左右，根据材料不同以及导通电流不同而变化；
  • 反向恢复时间在ns级别

肖特基二极管（Schottky Diode） ​

‌  代表型号：SS14、SS34、SS54、1N5819WS等；

特性 ​

  • 单向导通、金属-半导体结
  • 反向耐压低，通常为10~200V;
  • 正向压降0.2~1.0V左右，根据材料不同以及导通电流不同而变化；
  • 反向恢复时间极快，ns到ps级别
  • 反向漏电流大，mA级别

稳压二极管（Zener Diode） ​

‌  代表型号：BZT52C12、BZT52C15、BZT52C10、BZT52C5V1等；

特性 ​

  • 工作在反向击穿区，在击穿后，两端电压相对恒定，会随电流与温度变化略有改变；
  • 稳定电流要求较高，击穿后的工作电流在几mA到几十mA，若电流过大，自身损耗功率过大会导致热击穿损坏；
  • 稳压值通常在3~100V之间

发光二极管（Light Emitting Diode） ​

‌  代表型号：红、绿、蓝、白颜色等；

特性 ​

  • 正向导通发光，不同材料发不同颜色
  • 正向压降依据颜色不同、材料不同有所差异
  • 红色、黄色：1.6~2.6V、绿蓝白等：2.6~3.6V；
  • 反向耐压小、通常3-20V；

瞬态抑制二极管（Transient Voltage Suppression Diode） ​

‌  代表型号：SM712、SMBJ6.5CA、USBLC6-2SC6、P6SMB6.8CA等；

特性 ​

  • 单向工作/双向工作型号均常用；
  • 当出现浪涌脉冲电压时能迅速齐纳击穿，对电压进行钳位保护；
  • 反向截止电压（VRWM）是指TVS管不导通的最高电压，在这个电压下只有很小的漏电流；
  • 击穿电压（VBR）是指开始导通的反向电压；
  • 钳位电压（VC）是指TVS管流过脉冲峰值电流时两端所呈现的电压；
  • 响应时间在ps~ns级别